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Mosfet——中低压Mosfet
型号 规格书 结构 Configuration 产品极性 N/P 漏源电压VDSS (V) 漏电流 ID (A) 耗散功率 Pd（W） 栅源电压VGS (V) 阈值电压VTH(V) 导通电阻 @VGS10V Typ 导通电阻 @VGS10V Max 导通电阻 @VGS4.5V Typ 导通电阻 @VGS4.5V Max 导通电阻 @VGS2.5V Typ 导通电阻 @VGS2.5V Max 导通电阻 @VGS1.8V Typ 导通电阻 @VGS1.8V Max 封装 产品状态 Grade
2N7002KCT
Single N 60 0.3 0.34 ±20 1.5 1800 2500 2000 3000 - - - - SOT-723 New
2N7002KCX
Dual N 60 0.3 0.25 ±20 1.5 1900 2500 2000 3000 - - - - SOT-563 New
2N7002KCL3
Single N 60 0.26 0.2 ±20 1.5 1900 2500 2000 3000 - - - - DFN1006-3L New
2N7002KC
Single N 60 0.3 0.3 ±20 1.5 1900 2500 2000 3000 - - - - SOT-23 New
2N7002KCE
Single N 60 0.3 0.3 ±20 1.5 1900 2500 2000 3000 - - - - SOT-523 New
2N7002KCW
Single N 60 0.3 0.3 ±20 1.5 1900 2500 2000 3000 - - - - SOT-323 New
2N7002KCDW
Dual N 60 0.3 0.3 ±20 1.5 1900 2500 2000 3000 - - - - SOT-363 New
汽车电子——功率MOS管
型号 pdf 极性POLARITY 漏源击穿电压VDSS V 零栅极电压漏极电流ID A 损耗功率PD W 栅源电压 VGS V 门极阈值电压 VTH V 静态漏源导通电阻 @VGS=10V Typ 静态漏源导通电阻 @VGS=10V Max 静态漏源导通电阻 @VGS=4.5V Typ 静态漏源导通电阻 @VGS=4.5V Max 静态漏源导通电阻 @VGS=2.5V Typ 静态漏源导通电阻 @VGS=2.5V Max 封装 产品状态
2N7002KDDWQ
N 60 0.3 0.43 ±20 1.5 1.1 2.5 1.3 3 - - SOT-363 Active
2N7002KCWQ
N 60 0.3 0.3 ±20 1.5 1900 2500 2000 3000 - - SOT-323 Active
2N7002KCQ
N 60 0.3 0.3 ±20 1.5 1900 2500 2000 3000 - - SOT-23 Active

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